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硅片快速热处理工艺研究背景及意义    

    微电子技术是20世纪最具有伟大成就的高技术之一,其发展与成熟改变了人类生活方式,极大地加快了社会发展进程。随着集成电路技术的发展,芯片制造工艺对设备的牵引作用越来越明显。作为一种单片热处理工艺设备的快速退火炉系统,能大大地降低硅片热处理工艺过程中的热预算,满足现代半导体制造过程中热处理工艺对设备的要求。

硅片快速热处理工艺概述

    离子注入技术作为半导体掺杂方法自上世纪60年代诞生以来,极大地促进了集成电路的发展。但是常规的高温长时间退火方法严重地限制了注入工艺优势的发挥。常规高温退火使注入杂质再扩散,造成有效沟道变短.随着大规模集成电路的发展,退火工艺对硅片表面升温速度和温度控制精度等提出更高要求,需要研究和开发先进的硅片热处理快速退火炉系统。

    快速热处理出现己有许多年了,但没有统一的定义。一般说来,和传统的高温工艺相比,快速热处理工艺包含以下特点:

    1.更短的工艺时间

    2.更快的升、降温速率

    3.硅中杂质运动最小

    4.减少颗粒沾污

    5.由于较小的腔体体积,气氛纯度容易控制

6.退火炉更短的加工时间

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[来源:原创] [作者:udoec] [日期:12-09-17] [热度:]

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